FP25R12W2T4PBPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY2B

Фото 1/3 FP25R12W2T4PBPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY2B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 270 руб.
Кратность заказа 18 шт.
Добавить в корзину 18 шт. на сумму 292 860 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015379786
Артикул: FP25R12W2T4PBPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EasyPIM three phase input rectifier power integrated modules IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7 technology.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 25 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 7
Package Type EASY2B
Другие названия товара № FP25R12W2T4P SP001585180
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 18
Серия IGBT4
Тип продукта IGBT Modules
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 25А
DC Ток Коллектора 25А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM 2B
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Полярность Транзистора Шесть N Каналов
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 799 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов