SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 шт., срок 6 недель
3 840 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 192 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | +15 V, +9 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 83 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-263-7 |
Pin Count | 7 |
Series | C3M |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 21.5 @ 4/+15 V |
Width | 9.12mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.