IKFW40N60DH3EXKSA1 IGBT, 34 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-AI

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 130 руб.

Кратность заказа 2 шт.

2 шт. на сумму 4 260 руб.

Плати частями
от 1 065 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8015651357

Артикул: IKFW40N60DH3EXKSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Infineon high speed switching series insulated-gate bipolar transistor fast and soft antiparallel diode in fully isolated package.

Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	34 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	111 W
Package Type	PG-TO247-3-AI
Pin Count	3
Transistor Configuration	Isolated
Pd - рассеивание мощности	111 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IKFW40N60DH3E SP001502652
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	34 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	44 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	Trenchstop High Speed 3
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO247-3
Вес, г	1