FF600R12ME4B72BOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
73 280 руб.
1 шт.
на сумму 73 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoDual dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 technology which has collector emitter voltage of 1200 V and collector current of 600 A.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | ECONODUAL |
| Pin Count | 11 |
| Transistor Configuration | Dual |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 519 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
