EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2
![Фото 1/2 EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2](https://static.chipdip.ru/lib/795/DOC002795999.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/992/DOC018992386.jpg)
6710 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
26 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12.95 руб.
5 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual |
Factory Pack Quantity | 8000 |
Fall Time | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-563-6 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
Rise Time | 10 ns |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.8Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.8Ом |
Power Dissipation N Channel | 150мВт |
Power Dissipation P Channel | 150мВт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 200мА |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 200мА |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 200мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet EM6K7T2CR
pdf, 2545 КБ
Datasheet EM6K7T2R
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.