RJU002N06T106, 60V 200mA 1.6-@4.5V,200mA 200mW 1.5V@1mA 5pF@10V N Channel 18pF@10V +150-@(Tch) UMT3 MOSFETs
![RJU002N06T106, 60V 200mA 1.6-@4.5V,200mA 200mW 1.5V@1mA 5pF@10V N Channel 18pF@10V +150-@(Tch) UMT3 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514453.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1815 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
29 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12.83 руб.
5 шт.
на сумму 145 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор N-CH 60V 200MA SOT-323
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 7 ns |
Время спада | 7 ns |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | RJU002N06 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RJU002N06 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.25 mm |
Base Product Number | RJU002 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | UMT3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet RJU002N06T106
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.