R6020KNX, TO-220FM MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
300 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 30 шт. —
177 руб.
от 100 шт. —
139.14 руб.
1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор Nch 600V 20A Si МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Другие названия товара № | R6020KNX |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | Super Junction-MOS KN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Base Product Number | R6020 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 68 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Width | 4.8mm |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
