BC856BW, SOT-323 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
750 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
45V 150mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
CBI BC856BW
pdf, 1243 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.