RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2710 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
8.90 руб.
10 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
30V 250mA 1.4Ω@250mA,10V 150mW 2.5V@1mA P Channel SOT-416 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@250mA, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | P Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-416FL |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1881 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
