YJD45G10B, 100V 45A 14m-@10V,20A 72W 2.8V@250uA 18pF@50V N Channel 1.135nF@50V 16nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252 MOSFETs
3925 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
69 руб.
от 150 шт. —
60 руб.
от 500 шт. —
47.07 руб.
5 шт.
на сумму 550 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
100V 45A 14mΩ@10V,20A 72W 2.8V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 45A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.135nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 72W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 18pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.47 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 851 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
