YJD80N03B, МОП-Транзистор 30 В 80 А 4,2 м - при 10 В, 20 А 45 Вт 1,5 В при 250мкА 252 пФ при 15 В N-канал 2,15нФ при 15 В 52,8 нК при 10 В -
1255 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
59 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
35 руб.
от 150 шт. —
31 руб.
от 500 шт. —
26.65 руб.
5 шт.
на сумму 295 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
30V 80A 4.2mΩ@10V,20A 45W 1.5V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.15nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 45W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 252pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 52.8nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 620 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
