MMDT2227, 10nA 200mW 100@150mA,10V 600mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
3280 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.20 руб.
от 3000 шт. —
5.17 руб.
20 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
200mW 100@150mA,10V 600mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA;1.6V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz;200MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 432 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
