YJB70G10A, 100V 70A 7.2m-@10V,20A 125W 1.8V@250uA 36pF@50V N Channel 2.27nF@50V 32nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-263 MOSFETs
502 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
240 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
127 руб.
от 100 шт. —
108.61 руб.
1 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
100V 70A 7.2mΩ@10V,20A 125W 1.8V@250uA N Channel TO-263 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 70A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.27nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 36pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1592 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
