2SC2883Y, 100nA 30V 1W 120@100mA,5V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
340 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8.30 руб.
10 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
30V 1W 120@100mA,5V 1.5A NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet 2SC2883Y
pdf, 269 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.