YJL3416A, Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 20В, 5,6А, Idm 25А
11380 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
7.30 руб.
от 3000 шт. —
5.79 руб.
10 шт.
на сумму 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 7A 1.3W 18mΩ@4.5V,7A 1V@250uA N Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V, 7A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 890pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.3W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@4.5V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 634 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
