MMBT5087, 50V 350mW 100mA PNP SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT
4080 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.70 руб.
от 3000 шт. —
3.07 руб.
20 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
50V 350mW 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@100uA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 40MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MMBT5087
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
