KSI2301CDS-T1-GE3, 20V 3A 66m-@4.5V,2.8A 1.25W 1V@250uA 68pF@16V P Channel 589pF@16V 5.5nC@4.5V +150-@(Tj) SOT-23-3L MOSFETs
12330 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
10 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
7 руб.
от 300 шт. —
4.90 руб.
от 3000 шт. —
3.55 руб.
10 шт.
на сумму 100 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
20V 3A 66mΩ@4.5V,2.8A 1.25W 1V@250uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 64mΩ@4.5V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 405pF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.3nC@2.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 617 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
