YJL2305A, Транзистор P-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, -15В, -4,5А, 1,2Вт
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2160 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
8 руб.
от 300 шт. —
6.50 руб.
10 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
15V 5.6A 25mΩ@4.5V,5.6A 1.2W 1V@250uA P Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V, 5.6A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 15V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 890pF@9V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 85pF@9V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.2nC@4.5V |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 650 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.