KTA1505Y, Транзистор биполярный BJT 100нА 30В 150мВт 120@100мА,1В 500мА 200МГц 100мВ@100мА,10мА +150°C@(Tj) SOT-23
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5640 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.50 руб.
от 3000 шт. —
2.75 руб.
20 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | - |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet KTA1505Y
pdf, 515 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.