SI2301 3A, 20V 3A 1W 110m-@4.5V,3A 1V@250uA 55pF@10V P Channel 405pF@10V 12nC@2.5V +150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
4300 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 3000 шт. —
3.40 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 112mΩ@4.5V, 2.8A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 400mW |
Type | P Channel |
Manufacturer | KUU |
Package / Case | SOT-23 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1688 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.