SK35P10, TO-252 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2486 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
190 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 30 шт. —
112 руб.
от 100 шт. —
100.36 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
100V 35A 104W 50mΩ@10V,10A 2.5V@250uA P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 35A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 10A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.5nF@20V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 104W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 130pF@20V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 90nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 797 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.