2N7002, SOT-23 MOSFETs
133000 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.30 руб.
от 6000 шт. —
2.07 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
60V 115mA 1.2Ω@10V,500mA 200mW 2.1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V, 300mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25.5pF@30V |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.8pF@30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.7nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 907 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
