UMT1N, 100nA 50V 250mW 120@1mA,6V 150mA 140MHz 500mV@50mA,5mA 2PCSPNP -55-~+150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2940 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
13 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
6.70 руб.
10 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
50V 250mW 120@1mA,6V 150mA 2PCSPNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 2PCSPNP |
Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 475 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.