YJD40N04A, 40V 40A 10.6m-@10V,20A 34W 1.5V@250uA 108pF@20V N Channel 917pF@20V 23.6nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
890 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
65 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
42 руб.
от 150 шт. —
37 руб.
от 500 шт. —
30.40 руб.
5 шт.
на сумму 325 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
40V 40A 10.6mΩ@10V,20A 34W 1.5V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 40A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10.6mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 917pF@20V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 34W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 108pF@20V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23.6nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
YJD40N04A
pdf, 1217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.