SK04N65B, 650V 4A 2.6-@10V,2A 86W 4V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2195 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
88 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
56 руб.
от 150 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
39.24 руб.
5 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
650V 4A 2.6Ω@10V,2A 86W 4V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 86W |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet SK04N65B
pdf, 6963 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.