RD3P130SPTL1, Транзистор MOSFET

Фото 1/2 RD3P130SPTL1, Транзистор MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
183 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
310 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 30 шт.149 руб.
от 100 шт.129.23 руб.
1 шт. на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015779227
Артикул: RD3P130SPTL1
Бренд: Rohm

Описание

RD3P130SP is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching. Low on-resistance. Fast switching speed.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 13 A
Maximum Drain Source Resistance 230 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 20 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series RD3P130SP
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 40 nC @ 10 V
Width 6.4mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2890 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.