RD3P130SPTL1, Транзистор MOSFET
![Фото 1/2 RD3P130SPTL1, Транзистор MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/159/DOC024159158.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC026367710.jpg)
183 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
310 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 30 шт. —
149 руб.
от 100 шт. —
129.23 руб.
1 шт.
на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
RD3P130SP is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching. Low on-resistance. Fast switching speed.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | RD3P130SP |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Width | 6.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.