STGW40H65FB, TO-247 IGBTs ROHS
![STGW40H65FB, TO-247 IGBTs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC027065794.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
1 220 руб.
от 10 шт. —
970 руб.
1 шт.
на сумму 1 220 руб.
Плати частями
от 305 руб. × 4 платежа
от 305 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Transistors/Thyristors\IGBT Transistors / Modules
HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar TransistorsSTMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 283 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGW40H65FB |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 7.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 873 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.