QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2
![Фото 1/2 QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2](https://static.chipdip.ru/lib/466/DOC021466579.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC012098324.jpg)
3713 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
140 руб.
от 10 шт. —
82 руб.
от 30 шт. —
68 руб.
от 100 шт. —
55.83 руб.
1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Qg - заряд затвора | 2.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 8 ns |
Высота | 0.85 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | QS5K2 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | QS5K2 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 N-Channel MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 21 ns |
Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-25T-5 |
Ширина | 1.6 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | TSMT-5 |
Pin Count | 5 |
Transistor Configuration | Common Source |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V |
Width | 1.6mm |
Вес, г | 0.014 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.