SKG85G06A, PDFN5060-8L MOSFETs
4227 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
210 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 30 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
107.15 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
60V 130A 105W 3mΩ@10V,20A 1V@250uA null PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 130A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.35nF@30V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 105W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 77.7pF@30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 66.1nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1197 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
