SK120N03B, TO-252 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2227 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
120 руб.
от 10 шт. —
77 руб.
от 30 шт. —
68 руб.
от 100 шт. —
60.16 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 120A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.385nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 120W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 469pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | null |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.