UMH11N, +150-@(Tj) 30@5mA,5V 0.3V@10mA,0.5mA 10k- 1 250MHz 150mW 3V@10mA,0.3V 0.5V@100uA,5V 2 NPN - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2910 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
7.80 руб.
10 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 631 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.