2SD1615, Транзистор биполярный BJT 100 нА 50 В 2 Вт 290 при 100 мА, 2 В 1 А 160 МГц 150 мВ при 50 мА, 1 А NPN +150-@(Tj) SOT-89
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
100 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
10 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
50V 2W 290@100mA,2V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@50mA, 1A |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 290@100mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 160MHz |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 697 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.