QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2710 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
99 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
63 руб.
от 150 шт. —
55 руб.
от 500 шт. —
39.45 руб.
5 шт.
на сумму 495 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Transistors/Thyristors\MOSFETs
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 9A;8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@9A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 640pF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15.5nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel+1PCSPChannel |
| Transistor Polarity | N and P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 7 ns, 22 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4.4 S, 5.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A, 8 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | TSMT-8 |
| Part # Aliases: | QH8MA4 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.6 W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15.5 nC, 19.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.3 mOhms, 22 mOhms |
| Rise Time: | 19 ns, 16 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns, 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 2.5 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2193 КБ
Документация
pdf, 2196 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
