2SB817, 100uA -140V 100W -12A 15MHz 2.5V@5A,500mA PNP +150-@(Tj) TO-3PN Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
34 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
300 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 30 шт. —
158 руб.
1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
140V 100W 12A PNP TO-3PN Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 12A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 140V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@500mA, 5A |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1A, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 10MHz |
Вес, г | 6.61 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.