DTC123JE, SOT-523 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
220 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
NPN 0.1A 50V SOT-523 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 899 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.