SI2300, SOT-23 MOSFETs
29380 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.40 руб.
от 3000 шт. —
5.44 руб.
20 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 6A 22mΩ@10V,6.0A 350mW 1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V, 5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 865pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF@10V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.8nC@4.5V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 520 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.