DTA114YUAT106, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 70мА, 200мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 шт., срок 5-6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 70мА, 200мВт, SOT323
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 250uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Manufacturer | ROHM Semicon |
| Package / Case | SOT-323 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet DTA114YUAT106
pdf, 1781 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
