RD3P200SNFRATL, 100V 20A 33m-@10V,20A 20W 2.5V@1mA 120pF@25V N Channel 2.1nF@25V 55nC@10V +150-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1551 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

390 руб.

от 10 шт. — 270 руб.

от 30 шт. — 243 руб.

от 100 шт. — 214.31 руб.

1 шт. на сумму 390 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8015808230

Артикул: RD3P200SNFRATL

Бренд: Rohm

Transistors/Thyristors\MOSFETs

Continuous Drain Current (Id)	20A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	33mΩ@10V, 20A
Drain Source Voltage (Vdss)	100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2.5V@1mA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	2.1nF@25V
Power Dissipation (Pd)	20W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	120pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	55nC@10V
Type	1PCSNChannel
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.033Ом
Power Dissipation	20Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	20А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	20Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.033Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	0.47

pdf, 1541 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем