2SD1007Q, 100nA 120V 2W 200@100mA,1V 0.7A 90MHz 300mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
60 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
20 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 700mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 90MHz |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 223 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.