2SD1007Q, 100nA 120V 2W 200@100mA,1V 0.7A 90MHz 300mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT

60 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
20 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт. на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8015811291
Артикул: 2SD1007Q
Бренд: Shikues

Технические параметры

Collector Current (Ic) 700mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 120V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@100mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 2W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 90MHz
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 223 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.