BC850B, 15nA 35V 250mW 240@10uA,5V 100mA 100MHz 90mV@10mA,0.5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
2250 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 330mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 833 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
