QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2

QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
110 руб.
от 10 шт.79 руб.
от 30 шт.71 руб.
1 шт. на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015812102
Артикул: QS8J2TR
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор TRANS МОП-транзистор PCH 12V 4A 8PIN

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4 A
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Qg - заряд затвора 20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 26 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 60 ns
Время спада 180 ns
Другие названия товара № QS8J2
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5.5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия QS8J2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 P-Channel
Типичное время задержки выключения 300 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TSMT-8
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet QS8J2TR
pdf, 1326 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.