MMBT3946DW, 50nA 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
3680 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
8 руб.
от 300 шт. —
6.40 руб.
от 3000 шт. —
5.02 руб.
10 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 513 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
