S8550, 100nA 25V 300mW 200@50mA,1V 500mA 150MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
6250 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 3000 шт. —
3.60 руб.
от 6000 шт. —
3.17 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
25V 300mW 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 998 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.