YFW8N65AD, 650V 8A 100W 0.95-@10V,4A 4V@250-A 7pF@25V N Channel 1100pF@25V 32nC@10V 150- TO-252 MOSFETs
999 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
170 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
94 руб.
от 100 шт. —
83.32 руб.
1 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
650V 8A 100W 950mΩ@10V,4A 4V@250μA null TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250μA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.1nF@25V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 899 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
