YFW120N10AD, 100V 120A 6m-@10V,1A 148W 3V@250-A 9pF@50V N Channel 3530pF@50V 65.7nC@50V 150- TO-252 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2503 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
330 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 30 шт. —
183 руб.
от 100 шт. —
155.81 руб.
1 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 120A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V, 1A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250μA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.53nF@50V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 148W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF@50V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65.7nC@50V |
Type | null |
Вес, г | 1.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 849 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.