MMBT5551, 50nA 160V 300mW 100@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1550 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
160V 300mW 100@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | - |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | - |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Transistor Type | - |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1978 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
