STGB20M65DF2, 166W -55-~+175-@(Tj) 40A 650V Trench Field Stop 80A 0.56mJ 0.14mJ D2PAK IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1072 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
510 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 30 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
241.48 руб.
1 шт.
на сумму 510 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 166 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGB20M65DF2 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 1.61 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 659 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.