SI2305, 20V 3.9A 55m-@4.5V,3.9A 1200mW 1.5V@250uA P Channel +150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs ROHS
7230 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8.20 руб.
от 3000 шт. —
5.68 руб.
10 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 4.1A 1.25W 52mΩ@4.5V,4.1A 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@4.5V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4125 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
