MMBTA42, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
760 шт., срок 6 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.60 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
300V 350mW 100@10mA,10V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 0.2V@20mA, 2.0mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
MMBTA42-SOT-23
pdf, 911 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
