PJA138K_R1_00001, МОП-Транзистор SOT-23

PJA138K_R1_00001, МОП-Транзистор SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4950 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.9 руб.
от 300 шт.7.10 руб.
от 3000 шт.5.26 руб.
10 шт. на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015837541
Артикул: PJA138K_R1_00001

Описание

Transistors/Thyristors\MOSFETs

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 500mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@500mA, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 50V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 50pF@25V
Power Dissipation (Pd) 500mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 1nC@4.5V
Type 1PCSNChannel
Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 23 ns
Id - Continuous Drain Current: 500 mA
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 630 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.5 Ohms
Rise Time: 19.2 ns
Series: NFET-50TMN
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 6.2 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.